【獲證專利公告】恭賀! 物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「p型氮化鎵高電子移動率電晶體」獲得中華民國發明專利!!

發明人	張鼎張教授
系所	物理系
專利名稱	p型氮化鎵高電子移動率電晶體 P-TYPE GAN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
證書號	I854349
公告日期	113年9月1日
專利摘要	一種p型氮化鎵高電子移動率電晶體，用以解決習知p型氮化鎵高電子移動率電晶體在製程中發生氫擴散而影響元件操作特性的問題。係包含：一緩衝層，疊層於一基板上；一通道層，疊層於該緩衝層上；一供應層，疊層於該通道層上，一源極及一汲極分別電連接該通道層及該供應層；一摻雜層，疊層於該供應層上，一閘極位於該摻雜層上；及一氫阻擋層，覆蓋該供應層及該摻雜層，該氫阻擋層摻雜氟。
技轉服務窗口	卓妤芸小姐 Email：chosml@mail.nsysu.edu.tw(分機2627) 施宇翔先生Email：seanshih@mail.nsysu.edu.tw(分機2625)

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