發明人 |
劉漢胤副教授 |
系所 |
電機系 |
專利名稱 |
半導體元件之製造方法及半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
證書號 |
I852483 |
公告日期 |
113年8月11日 |
專利摘要 |
本發明揭露一種半導體元件之製造方法,將一第一氣霧導入一非真空腔室中,以霧化沈積一半導體薄膜於一基板上,再將一第二氣霧導入該非真空腔室中,臨場摻雜該半導體薄膜,提昇該半導體薄膜之電子濃度,最後形成一導體薄膜於完成摻雜的該半導體薄膜上,以取得一半導體元件,該半導體元件可應用於一半導體裝置中。 |
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