【獲證專利公告】恭賀! 電機系王朝欽教授及團隊之研究成果「靜態隨機存取記憶體位元單元」獲得中華民國發明專利
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發明人 |
王朝欽教授 |
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系所 |
電機系 |
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專利名稱 |
靜態隨機存取記憶體位元單元 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY BIT CELL |
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證書號 |
I838913 |
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公告日期 |
113年4月11日 |
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專利摘要 |
一種靜態隨機存取記憶體位元單元，其包括：一第一PMOS電晶體與一第二NMOS電晶體組成的一第一反相器，和由一第二PMOS電晶體、一第三NMOS電晶體、一第四NMOS電晶體與一第五NMOS電晶體組成的施密特觸發器反相器為一第二反相器，該第一反相器和該第二反相器交叉耦合後，形成有第一穩定節點和第二穩定節點存儲每一位元單元的資料；及一第一NMOS電晶體和一第六NMOS電晶體分別為存取器件，用於控制資料從該第一穩定節點和第二穩定節點的傳遞。 |
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技轉服務窗口 |
卓妤芸小姐 Email：chosml@mail.nsysu.edu.tw(分機2627) 施宇翔先生Email：seanshih@mail.nsysu.edu.tw(分機2625) |
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