一種p型氮化鎵高電子移動率電晶體，用以解決操作習知p型氮化鎵高電子移動率電晶體時產生嚴重漏電流的問題。係包含：一基板；一通道層，疊層於該基板上；一供應層，疊層於該通道層上；一第一p型氮化鎵摻雜層，疊層於該供應層上；一第二p型氮化鎵摻雜層，疊層於該第一p型氮化鎵摻雜層上；及一第三p型氮化鎵摻雜層，疊層於該第二p型氮化鎵摻雜層上，該第一p型氮化鎵摻雜層及該第三p型氮化鎵摻雜層之摻雜濃度低於該第二p型氮化鎵摻雜層之摻雜濃度，一閘極位於該第三p型氮化鎵摻雜層上，一源極及一汲極分別電連接該通道層及該供應層。