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國立中山大學 National Sun Yat-sen University

【獲證專利公告】恭賀! 電機系劉漢胤副教授及團隊之研究成果「薄膜電晶體及其製造方法」獲得中華民國發明專利

 

發明人

劉漢胤副教授

系所

電機系

專利名稱

薄膜電晶體及其製造方法
THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

證書號

I814578

公告日期

112年9月1日

專利摘要

本發明揭露一薄膜電晶體及其製造方法,該薄膜電晶體可為下閘極式或上閘極式,該薄膜電晶體具有一基板、一第一絕緣薄膜、一第二絕緣薄膜、一半導體薄膜及一導電薄膜,該導電薄膜經圖案化後可形成一源極電極、一汲極電極及一閘極電極,該第二絕緣薄膜具有複數個接觸窗口,用以顯露該源極電極、該汲極電極及該閘極電極,該薄膜電晶體之薄膜可全為氧化物薄膜,且可選擇於非真空環境下沈積氧化物薄膜,有利於降低大尺寸顯示器之製造成本。

技轉服務窗口

卓妤芸小姐 Email:chosml@mail.nsysu.edu.tw(分機2627)

施宇翔先生Email:seanshih@mail.nsysu.edu.tw(分機2625)

 

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