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國立中山大學 National Sun Yat-sen University

【獲證專利公告】恭賀! 醫科所莊承鑫教授及團隊之研究成果「修飾電極、修飾電極的製備方法及其應用」獲得中華民國發明專利

 

發明人

莊承鑫教授

系所

醫科所

專利名稱

修飾電極、修飾電極的製備方法及其應用
MODIFIED ELECTRODE, METHOD FOR MAKING MODIFIED ELECTRODE AND APPLICATION FOR MODIFIED ELECTRODE

證書號

I815503

公告日期

112年9月11日

專利摘要

一種修飾電極的製備方法,用以解決習知電極經修飾過程中表面型態改變而降低靈敏度的問題。係包含:將一修飾成分與一兩性離子成分形成一偽離子交換膜修飾成分;該修飾成分具有多個奈米粒子,各該奈米粒子的淨表面電荷為正電或負電;該兩性離子成分具有多個兩性離子,該兩性離子之端部或中心帶有與該奈米粒子的淨表面電荷相反的電性,使該奈米粒子與該兩性離子間具有結合的親和性;使該偽離子交換膜修飾成分附著於一電極本體之一處,而形成對應的一修飾電極。

技轉服務窗口

卓妤芸小姐 Email:chosml@mail.nsysu.edu.tw(分機2627)

施宇翔先生Email:seanshih@mail.nsysu.edu.tw(分機2625)

 

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