【獲證專利公告】恭賀! 電機系劉漢胤副教授及團隊之研究成果「記憶體元件、記憶體陣列及其製造方法」獲得中華民國發明專利
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發明人 |
劉漢胤副教授 |
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系所 |
電機系 |
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專利名稱 |
記憶體元件、記憶體陣列及其製造方法 MEMORY ELEMENT, MEMORY ARRAY AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME |
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證書號 |
I803417 |
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公告日期 |
112年5月21日 |
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專利摘要 |
一記憶體陣列包含複數個記憶體元件，各該記憶體元件具有一第一電極、一第二電極及一堆疊結構，該堆疊結構位於該第一電極及該第二電極之間，作為電阻切換層使用，該堆疊結構由一結晶型氧化物薄膜及一非晶型氧化物薄膜堆疊而成，由於該結晶型氧化物薄膜缺陷較少，因此可提昇該記憶體元件及該記憶體陣列之性能，如記憶窗口、耐久性及記憶時間等。 |
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技轉服務窗口 |
卓妤芸小姐(分機2627) 施宇翔先生(分機2625) |
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