【獲證專利公告】恭賀! 物理系羅奕凱教授及團隊之研究成果「氮化銦鎵量子井製造方法」獲得中華民國發明專利
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發明人 |
羅奕凱教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
氮化銦鎵量子井製造方法 Manufacturing Method of InGaN Quantum Wells |
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證書號 |
I796046 |
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公告日期 |
112年3月11日 |
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專利摘要 |
一種氮化銦鎵量子井製造方法，用以解決習知氮化銦鎵量子井晶格不匹配導致缺陷的問題。係包含：將一基板置於一製程腔，該基板具有一氮化鎵層；使該製程腔達到一製程真空度，該製程真空度是10-6~10-11托；同時將一電漿態的氮分子束、一銦分子束及一鋁分子束導入該製程腔，並控制該銦分子束與該鋁分子束之一流率比例，在該氮化鎵層上形成一氮化銦鋁薄膜，該流率比例為0.6、1.0、1.29、1.67或3.0；及在該氮化銦鋁薄膜上形成一氮化銦鎵量子井。 |
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卓妤芸小姐(分機2627) 施宇翔先生(分機2625) |
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