【獲證專利公告】恭賀! 物理系羅奕凱教授及團隊之研究成果「氮化物多孔單晶膜的製造方法」獲得中華民國發明專利
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發明人 |
羅奕凱教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
氮化物多孔單晶膜的製造方法 Manufacturing Method of Nitride Porous Single Crystal film |
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證書號 |
I792547 |
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公告日期 |
112年2月11日 |
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專利摘要 |
一種氮化物多孔單晶膜的製造方法，用以解決習知多孔性氮化物半導體薄膜的製程步驟繁複及難以製作出單晶結構的問題。係包含：提供一單晶氧化鋅基板，透過氮/Ⅲ族元素的流量比值小於40的一混合流體，以分子束磊晶方式在該單晶氧化鋅基板上形成一緩衝層；及於該緩衝層上形成氮化物的一單晶膜。 |
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技轉服務窗口 |
卓妤芸小姐(分機2627) 施宇翔先生(分機2625) |
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