【獲證專利公告】恭賀! 物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「晶圓常溫乾燥方法」獲得中華民國發明專利
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發明人 |
張鼎張教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
晶圓常溫乾燥方法 |
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證書號 |
I784545 |
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公告日期 |
111年11月21日 |
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專利摘要 |
一種晶圓常溫乾燥方法，用以解決習知晶圓乾燥製程導致晶圓上的電晶體微結構內縮倒塌的問題。係包含：一清洗階段，將一待工元件置入一清洗溶劑中；一反應階段，將該待工元件連同該清洗溶劑放入一反應腔室，並注入一超臨界流體於該反應腔室內，該超臨界流體的臨界溫度低於常溫，增加該反應腔室的壓力，使該清洗溶劑溶解於該超臨界流體；及一洩壓階段，在該清洗溶劑完全溶解於該超臨界流體後，釋放該反應腔室的壓力，將該超臨界流體連同該清洗溶劑排放出該反應腔室。 |
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技轉服務窗口 |
卓妤芸(分機2627) |
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