【獲證專利公告】恭賀!物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「薄膜電晶體的製造方法」獲得中華民國專利
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發明人 |
張鼎張教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
薄膜電晶體的製造方法 |
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證書號 |
I756757 |
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公告日期 |
111年3月1日 |
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專利摘要 |
一種薄膜電晶體的製造方法,用以解決習知薄膜電晶體在防止氫擴散的製程效率低的問題。係包含:以一氣相沉積技術在一基板上形成數層薄膜及數個電極;及在氣相沉積過程中導入一含氟氣體,形成至少一層的含氟薄膜,藉由氟中和擴散至該數層薄膜的氫含量。
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技轉服務窗口 |
陳淑英(分機2625) 卓妤芸(分機2686) |
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