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國立中山大學 National Sun Yat-sen University

【獲證專利公告】恭賀! 物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「以超臨界流體減少電子元件缺陷之方法」獲得美國發明專利

 

發明人

張鼎張教授

系所

物理系

專利名稱

以超臨界流體減少電子元件缺陷之方法

證書號

US11,101,141B2

公告日期

110年8月24日

專利摘要

A method for reducing defects of an electronic component using a supercritical fluid includes recrystallizing and rearranging grains in the electronic component by introducing the supercritical fluid doped with H2S together with an electromagnetic wave into a cavity. The cavity has a temperature above a critical temperature of the supercritical fluid and a pressure above a critical pressure of the supercritical fluid.

技轉服務窗口

林淑英(分機2686)

 

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