【獲證專利公告】恭賀! 物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「以超臨界流體減少電子元件缺陷之方法」獲得美國發明專利
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發明人 |
張鼎張教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
以超臨界流體減少電子元件缺陷之方法 |
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證書號 |
US11,101,141B2 |
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公告日期 |
110年8月24日 |
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專利摘要 |
A method for reducing defects of an electronic component using a supercritical fluid includes recrystallizing and rearranging grains in the electronic component by introducing the supercritical fluid doped with H2S together with an electromagnetic wave into a cavity. The cavity has a temperature above a critical temperature of the supercritical fluid and a pressure above a critical pressure of the supercritical fluid.
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林淑英(分機2686) |
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