一種提升高電子移動率電晶體的崩潰電壓之結構，用以解決習知高電子移動率電晶體在高電壓狀態下喪失功能的問題。係包含：一基板；一導通層，位於該基板上，導通層之上半部係一電子供應層，且下半部係一電子通道層；一閘極絕緣層，疊層於該電子供應層上；及一電場分散層，疊層於該閘極絕緣層上，該電場分散層的介電常數小於該閘極絕緣層的介電常數，一閘極位於該電場分散層與該閘極絕緣層之間，一源極及一汲極分別電連接該電場分散層、該閘極絕緣層、該導通層之該電子供應層及該電子通道層。