【獲證專利公告】恭賀! 物理系羅奕凱教授及團隊之研究成果「氮化銦鎵∕氮化鎵量子井倒角錐的製造方法」獲得中華民國發明專利
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發明人 |
羅奕凱教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
氮化銦鎵∕氮化鎵量子井倒角錐的製造方法 |
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證書號 |
I682053 |
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公告日期 |
109年1月11日 |
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專利摘要 |
一種氮化銦鎵/氮化鎵量子井倒角錐的製造方法，用以解決習知發光二極體晶粒製造方法過程繁瑣的問題。係包含：於600~650℃之溫度下，在一基板上依序進行一第一磊晶反應及一第二磊晶反應，以形成一氮化鎵倒角錐，其中，該第一磊晶反應之氮：鎵的流量比為25：1~35：1，該第二磊晶反應之氮：鎵的流量比為130：1~150：1；於該氮化鎵倒角錐遠離該基板的一端面上形成一氮化銦鎵層；及於該氮化銦鎵層上形成一氮化鎵層。
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邱識蓉(分機2625) |
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