【獲證專利公告】恭賀! 物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「選擇器之製造方法及其結構」獲得中華民國發明專利
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發明人 |
張鼎張教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
選擇器之製造方法及其結構 |
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證書號 |
I676170 |
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公告日期 |
108年11月1日 |
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專利摘要 |
一種選擇器之製造方法及其結構，用以解決習知選擇器之結構需經高溫退火處理的問題。係包含：一疊層階段，在一電極層之表面形成一絕緣層，再於該絕緣層之表面形成另一電極層，該二電極層之材質為釩、鈮、鉭、鈦或鎳；一初始化階段，施加電壓於該二電極層之間，一工作電流通過該絕緣層，其中，接受負偏壓之該電極層產生氧化反應，而形成一金屬氧化層，該金屬氧化層位於接受負偏壓之該電極層與該絕緣層的交界處；及一臨界階段，該工作電流超過一臨界電流，即停止施加電壓於該二電極層之間。
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曾溫仁(分機2621) |
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