【獲證專利公告】恭賀! 光電系邱逸仁教授及團隊之研究成果「波導構造的製作方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
邱逸仁教授 |
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系所 |
光電系 |
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專利名稱 |
波導構造的製作方法 |
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證書號 |
I617081 |
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公告日期 |
107年3月1日 |
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專利摘要 |
一種波導構造的製作方法，其包含步驟：提供一層狀結構，包含：形成一第一型InGaAsP層於一基板上；形成一第一型InP層於該第一型InGaAsP層上；形成一主動層於該第一型InP層上，其中該主動層的材質包含鎵；形成一第二型InP層於該主動層上；以及形成一第二型InGaAsP層於該第二型InP層上；形成一SiO2圖案層於該第二型InGaAsP層上，其中該SiO2圖案層包含多個SiO2區域，且該些SiO2區域之間形成朝向一方向的至少一通道；以及對具有該SiO2圖案層的該層狀結構進行一快速熱退火處理，其中該快速熱退火處理的一處理溫度係介於720至760℃之間，一處理時間係介於60至240秒之間。
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莊淨智(分機2625) |
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