【獲證專利公告】恭賀! 材光系周明奇教授及團隊之研究成果「雙摻雜閃爍晶體製作方法」獲得中華民國發明專利!!
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發明人 |
周明奇教授 |
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系所 |
材光系 |
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專利名稱 |
雙摻雜閃爍晶體製作方法 |
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證書號 |
I609106 |
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公告日期 |
106年12月21日 |
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專利摘要 |
一種雙摻雜閃爍晶體製作方法，係利用柴式提拉法(Czochralski,Cz)生長一雙摻雜鈰與一鈣或一鎂元素稀土矽酸鹽單晶棒，利用摻雜鈣或鎂元素產生電荷補償效應(Charge Compensation)，使其中之鈣或鎂與鈰正四價(Ce+4)發生電荷補償，以產生鈰正三價(Ce+3)，形成一鈣鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒或一鎂鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒，再將其放置於一高溫設備中進行熱退火(thermal annealing)處理，將該鈣鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒或該鎂鈰雙摻稀土矽酸鹽單晶棒從室溫加熱至1400~1700℃之間後持溫一反應時間，之後進行降溫步驟。藉此，本發明在大氣下進行熱退火處理，利用熱退火可大量減少晶體在加工時所產生之碎裂，並能提高晶體切磨拋之後，像素(pixel)樣品之良率，具有製程成本低、良率高、晶體碎裂少、放光強度高及衰減時間(decaying time)短等優點。
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莊淨智(分機2625) |
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