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國立中山大學 National Sun Yat-sen University

【獲證專利公告】恭賀!物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「薄膜電晶體的製作方法」獲得中華民國發明專利!

 

發明人

張鼎張教授

系所

物理系

專利名稱

薄膜電晶體的製作方法

證書號

I 565080

公告日期

106年1月1日

專利摘要

本發明揭示一種薄膜電晶體的製作方法,用於解決習知薄膜電晶體中透明導電膜的接觸電阻過大問題,該製作方法之步驟包含:於一基板上形成一電晶體雛型,該電晶體雛型具有二透明電極,用以作為一薄膜電晶體之一源極及一汲極;及將該電晶體雛型的二透明電極裸露於充滿電漿的環境中,使電漿對該電晶體雛型的二透明電極進行表面處理,用以製成該薄膜電晶體。藉此,可確實解決上述問題。

 

 

技轉服務窗口

曾溫仁(分機2621)

 

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