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國立中山大學 National Sun Yat-sen University

【獲證專利公告】恭賀!物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「薄膜電晶體製作方法」獲得中華民國發明專利!

 

發明人

張鼎張教授

系所

物理系

專利名稱

薄膜電晶體製作方法

證書號

I 560782

公告日期

105年12月1日

專利摘要

本發明揭示一種薄膜電晶體製作方法,用於解決低溫製程導致電晶體缺陷過多的問題,該薄膜電晶體製作方法的步驟包含於一基板上形成一電晶體雛型,該電晶體雛型之表面具有至少一待處理部;及將該電晶體雛型的待處理部裸露於充滿超臨界流體的環境中,使超臨界流體對該電晶體雛型的待處理部進行表面處理,用以製成一薄膜電晶體。藉此,可確實解決上述問題。

 

 

技轉服務窗口

曾溫仁(分機2621)

 

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