【獲證專利公告】恭賀!物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「具氮化矽絕緣層之電阻式隨機存取記憶體構造」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
張鼎張教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
具氮化矽絕緣層之電阻式隨機存取記憶體構造 |
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證書號 |
I 496146 |
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公告日期 |
104年8月11日 |
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專利摘要 |
一種具氮化矽絕緣層之電阻式隨機存取記憶體構造包含一基板及一金屬-絕緣-金屬結構層。該金屬-絕緣-金屬結構層形成於該基板上。該金屬-絕緣層-金屬結構層包含：一下金屬層、一氮化矽絕緣層及一上金屬層。該下金屬層形成於該基板上，而該氮化矽絕緣層形成於該下金屬層上，且該氮化矽絕緣層提供可變電阻特性。該上金屬層則形成於該氮化矽絕緣層上，以形成一RRAM單元。
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曾溫仁(分機2621) |
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