【獲證專利公告】恭賀!物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「浮閘記憶體的製造方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
張鼎張教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
浮閘記憶體的製造方法 |
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證書號 |
I 488311 |
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公告日期 |
104年6月11日 |
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專利摘要 |
一種浮閘記憶體的製造方法，其包含步驟：於一半導體基材上形成一氧化層；於該氧化層之表面形成數個奈米點；通過氧液固(VLS)方法，形成異質奈米晶；於該氧化層表面沈積形成一閘氧層，使該閘氧層覆蓋該異質奈米晶；及於該閘氧層之表面沈積形成一電極層。藉此，以提升製程效率及降低製作成本。
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曾溫仁(分機2621) |
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