【獲證專利公告】恭賀!光電系朱安國教授及團隊之研究成果「調整金屬氧化物薄膜功函數之方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
朱安國教授 |
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系所 |
光電系 |
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專利名稱 |
調整金屬氧化物薄膜功函數之方法 |
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證書號 |
I 464789 |
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公告日期 |
103年12月11日 |
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專利摘要 |
一種調整金屬氧化物薄膜功函數之方法，其包含提供一金屬氧化物薄膜，該金屬氧化物薄膜係具有一表面且該表面係具有一第一功函數及複數個碳污染物；提供一密閉腔體，並將該金屬氧化物薄膜置入於該密閉腔體；注入一活化物於該密閉腔體；通入一二氧化碳氣體於該密閉腔體；以及調升該密閉腔體內之壓力及溫度以使該二氧化碳氣體進入超臨界狀態，以形成一超臨界流體，該密閉腔體內之壓力係介於2000至10000 psi，該密閉腔體內之溫度係介於30至300度，該超臨界流體係可移除該氧化物薄膜之該表面的該些碳污染物並使該金屬氧化物薄膜之該表面具有一第二功函數。
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田勝侑(分機2625) |
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