【獲證專利公告】恭賀!電機系林吉聰教授及團隊之研究成果「垂直式多位元ＳＯＮＯＳ記憶體元件及其製造方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
林吉聰教授 |
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系所 |
電機系 |
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專利名稱 |
垂直式多位元ＳＯＮＯＳ記憶體元件及其製造方法 |
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證書號 |
I 456703 |
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公告日期 |
103年10月11日 |
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專利摘要 |
本發明關於一種垂直式多位元SONOS記憶體元件及其製造方法，其包括：一基板、一閘極部、一第一氧化層、一側壁氮化矽層、一第二氧化層及一半導體層。該閘極部形成於該基板上。該第一氧化層形成於該閘極部上。該側壁氮化矽層形成於該第一氧化層之側邊。該第二氧化層形成於該側壁氮化矽層上。該半導體層形成於該第二氧化層及該基板上，該半導體層具有至少一源極部及至少一汲極部。本發明之垂直式多位元SONOS記憶體元件可在單一元件中實現儲存多位元數的操作，增加元件的集積度。且可以增加元件捕獲電子的能力與增強元件在寫入速度與縮短寫入時間。
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田勝侑(分機2625) |
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