【獲證專利公告】恭賀!光電系邱逸仁教授及團隊之研究成果「底切蝕刻矽波導結構及其製造方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
邱逸仁教授 |
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系所 |
光電系 |
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專利名稱 |
底切蝕刻矽波導結構及其製造方法 |
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證書號 |
I 452365 |
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公告日期 |
103年9月11日 |
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專利摘要 |
本發明提供一種以底切蝕刻方式於矽基板上製作矽光波導的方法，係藉由反應性離子蝕刻以非等向性方式，定義出波導核心形狀，再利用電子迴旋共振式離子反應蝕刻以等向性方式完成底切內緣蝕刻，以將光場分離於矽基板和波導，進而將光場侷限於矽光波導之中。
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田勝侑(分機2625) |
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