【獲證專利公告】恭賀!物理系杜立偉教授及團隊之研究成果「三族-氮半導體奈米構造及其發光二極體」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
杜立偉教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
三族-氮半導體奈米構造及其發光二極體 |
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證書號 |
I 452719 |
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公告日期 |
103年9月11日 |
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專利摘要 |
一種三族-氮半導體奈米構造包含一基板、數個奈米柱及一絕緣層。該基板具有一第一表面，該奈米柱成長在該基板之第一表面上，而該絕緣層係由旋塗式玻璃方法形成在該基板之第一表面上，且該絕緣層填入形成在該奈米柱之間，以便在該奈米柱之間形成絕緣部。該三族-氮半導體奈米構造係屬高密度奈米柱，並省略該絕緣層，以提高該奈米柱的密度，因而能簡化構造。本發明較佳實施例係該奈米柱之結構形成本發明之三族-氮半導體奈米發光二極體。
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技轉服務窗口 |
曾溫仁(分機2621) |
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