【獲證專利公告】恭賀!電機系林吉聰教授及團隊之研究成果「垂直式單電晶體無電容式動態隨機存取記憶單元及其製造方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
林吉聰教授 |
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系所 |
電機系 |
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專利名稱 |
垂直式單電晶體無電容式動態隨機存取記憶單元及其製造方法 |
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證書號 |
I 442517 |
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公告日期 |
103年6月21日 |
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專利摘要 |
本發明關於一種垂直式單電晶體無電容式動態隨機存取記憶單元及其製造方法，其包括：一基板、一中間氧化層、一本體、一環繞鰭型式側壁氧化層、一半導體層、一汲極部、一閘極氧化層及環繞鰭型式閘極部。利用只有中間氧化層而源極與基板直接連接(Source tie)，使廢熱有更好的逸散路徑，而環繞鰭型式側壁氧化層可減少源極部與本體之P-N接面，有效減少漏電流問題，使電洞保存時間延長及使資料保存時間有效增長。並且，本發明之環繞鰭型式閘極部結構可加快寫入速度，且垂直式結構可使本體之中性區區域在相同面積下有效加大，並且增加電洞儲存區域，使資料更容易辨別，以增加可程式窗。
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趙偉志(分機2625) |
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