【獲證專利公告】恭賀!物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「倒置型薄膜電晶體製造方法及其製品」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
張鼎張教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
倒置型薄膜電晶體製造方法及其製品 |
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證書號 |
I 442573 |
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公告日期 |
103年6月21日 |
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專利摘要 |
本發明提供倒置型薄膜電晶體的製作方法，包含：(a)準備基材，(b)於基材上形成閘極，(c)於基材及閘極上形成絕緣層，(d)於該絕緣層上形成半導體層，(e)於該半導體層上表面形成金屬歐姆接觸層，(f)再於該金屬歐姆接觸層上形成導電層，(g)最後將該導電層部分區域與對應該區域的金屬歐姆接觸層移除，而讓對應此區域的半導體層的結構裸露，使留下的導電層與金屬歐姆接觸層結構共同形成彼此間隔相對的源極和汲極，製得倒置型薄膜電晶體；另外，本發明還提供由此製作方法製得的倒置型薄膜電晶體。
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曾溫仁(分機2621) |
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