【獲證專利公告】恭賀!電機系黃義佑教授及團隊之研究成果「離子感測裝置及其製造方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
黃義佑教授 |
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系所 |
電機系 |
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專利名稱 |
離子感測裝置及其製造方法 |
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證書號 |
I 435078 |
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公告日期 |
103年4月21日 |
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專利摘要 |
本發明係利用微機電系統(MEMS)製程及封裝技術，以製造出具有一種或多種離子感測功能之離子感測器。該離子感測器具有一積體化微型之參考電極，故晶片尺寸可非常微小化；且具有比平面式離子選擇電極(Planar ISE)或離子感測場效電晶體(ISFET)更大的閘極感測區，可有效避免不必要之訊號干擾、降低封裝困難及液體滲漏的機率。因此，該離子感測器具有成品輕薄短小、反應速度快、精密度高、成本較低及與IC製程相容性高之優點，並且具有長期電位穩定度極高、補偏電位極低、交流阻抗小、動態參考電位穩定、電化學雜訊低、電極之再現性高等優秀之電化學特性。
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趙偉志(分機2625) |
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