【獲證專利公告】恭賀!物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「電阻式記憶體元件及其製作方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
張鼎張教授 |
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系所 |
物理系 |
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專利名稱 |
電阻式記憶體及其製作方法 |
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證書號 |
I 4301762 |
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公告日期 |
103年3月21日 |
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專利摘要 |
一種電阻式記憶體元件，係由一第一電極、一絕緣層、一擴散金屬層及一第二電極依序堆疊而成，該絕緣層內係形成有數個尖端電極。該電阻式記憶體元件之製作方法包含：於該第一電極之表面成長形成該絕緣層；將一擴散金屬材質成長於該絕緣層之表面作為該擴散金屬層；將該第二電極設置於該擴散金屬層之表面；將一趨入電壓之負極及正極分別連接至該第一電極及第二電極，透過該趨入電壓使該擴散金屬層中的擴散金屬材質氧化為金屬離子，並使該金屬離子趨入該絕緣層中而還原形成數個尖端電極。
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曾溫仁(分機2621) |
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