【專利公開轉讓公告】已公開美國專利3件、中華民國專利16件

發明人	系所	專利名稱	專利國別	專利字號	摘要
王朝欽	電機系	用於無線植入式系統之無電容及無電阻解調變器/C-less and R-less ask demodulator for wireless implantable system	中華民國	I355830	本發明係關於一種用於無線植入式系統之無電容及無電阻ASK解調變器，其包含：一包絡線偵測器及一緩衝器。該包絡線偵測器用以接收ASK調變訊號，並將該ASK調變訊號之高準位及低準位分別鎖定在不同的電壓範圍，以產生與該ASK調變訊號相對應之一第一準位包絡線及一第二準位包絡線。該緩衝器具有至少二串接之反相器，用以判別該第一準位包絡線及該第二準位包絡線，以產生ASK解調變訊號。本發明用於無線植入式系統之無電容及無電阻ASK解調變器利用電晶體設計，完全不需電容及電阻，以節省晶片佈局面積及減少熱雜訊。
王朝欽	電機系	直接數位頻率合成器/Direct digital frequency synthesizer	中華民國	I353731	本發明係關於一種直接數位頻率合成器，其包含：一相位累加器、一補數器、一非線性數位類比轉換器及一類比補數器。本發明之直接數位頻率合成器係利用電流模式非線性數位類比轉換器取代習知利用ROM之查表模式，以達到減少耗電及低功率消耗之優點，且可減少硬體複雜度、縮小面積及提高SFDR值。
王朝欽	電機系	具製程、電壓及溫度補償之二倍供應電壓共容輸入輸出緩衝器/2xVDD-TOLERANT LOGIC CIRCUITS AND A RELATED 2xVDD-TOLERANT I/O BUFFER WITH PVT COMPENSATION	美國	US7,932,748B1	A 2×VDD-tolerant input/output (I/O) buffer circuit with process, voltage, and temperature (PVT) compensation suitable for CMOS technology is disclosed. A 2×VDD-tolerant I/O buffer with a PVT compensation circuit is implemented with novel 2×VDD-tolerant logic gates. Output slew rate variations can be kept within smaller ranges to match maximum and minimum timing specifications. A 2×VDD tolerant logic circuit for implementing the I/O buffer is also disclosed.
林吉聰	電機系	假閘極全環繞矽覆絕緣裝置及其製作方法/SOI device with pseudo gate-all-around and the method for making the same	中華民國	I355691	本發明係關於一種假閘極全環繞矽覆絕緣裝置及其製作方法。該半導體裝置之一下閘極介電層形成於一基板上，且一導電半導體層形成於該下閘極介電層之上。該具導電之半導體層具有一本體、一源極及一汲極，並且，該半導體裝置之一上閘極及一下閘極連結於同一電極，使得該半導體裝置之該上閘極及該下閘極環繞於本體之上方、下方及二側，形成一近乎全環繞式閘極之結構。藉此，克服上閘極與下閘極間之耦合電容問題，故該半導體裝置具有且較傳統矽覆絕緣金屬氧化物半導體元件(SOI MOSFET)或鰭式場效電晶體(Fin FET)較大的電流驅動和次臨界轉換特性。
翁金輅	電機系	一種多頻單極槽孔天線	中華民國	I355113	本發明係一種多頻單極槽孔天線，包含：一介質基板、一接地面、一單極槽孔及一饋線。該介質基板具有一第一表面及一相對於該第一表面之第二表面；該接地面位於該介質基板之第一表面上；該單極槽孔位於該接地面上；該饋線位於該介質基板之第二表面上，具有一起始端與一終端，該起始端電氣連接至一信號源，該饋線並跨過該單極槽孔兩次，使得該終端朝向該起始端方向延伸。
翁金輅	電機系	一種耦合式寬頻偶極天線	中華民國	I356526	一種耦合式寬頻偶極天線，包含：一介質基板、一第一輻射部、一第二輻射部及一耦合部。該介質基板具有一第一表面及一第二表面；該第一輻射部位於該介質基板之第一表面；該第二輻射部，位於該介質基板之第一表面，且該第二輻射部具有一第一饋入點，該第二輻射部與該第一輻射部形成該偶極天線之兩臂；該耦合部大致為一長條形金屬片，位於該介質基板之第二表面上，其一端為一第二饋入點，面向該第二輻射部，與該第一饋入點具有一特定間距，其另一端則朝向該第一輻射部之方向延伸。
翁金輅	電機系	一種行動裝置數位電視天線/A MOBILE DEVICE DIGITAL TELEVISION ANTENNA	中華民國	I353685	一種行動裝置數位電視天線，包含：一介質基板；一接地面，位於該介質基板之一表面上，具有一短路點；一饋入金屬部，位於該介質基板之一表面上，與該接地面不互相重疊，其一端連接至一信號源，另一端為開路；一第一輻射金屬部，位於該介質基板之一表面上，與該接地面不互相重疊，其一端與該饋入金屬部具有一第一特定間距，另一端為開路；及一第二輻射金屬部，由一支撐介質所支撐，位於該第一輻射金屬部之上方，並與該第一輻射金屬部具有一第二特定間距，其一端經由一連接金屬線電氣連接至位於該介質基板之一表面上之一短路金屬線，其另一端並電氣連接至該接地面之短路點。
翁金輅	電機系	一種可攜式裝置數位電視天線/A PORTABLE DEVICE DIGITAL TELEVISION ANTENNA	中華民國	I351788	一種可攜式裝置數位電視天線，包含：一介質基板；一接地面，位於該介質基板之一表面上；一饋入金屬部，位於該介質基板之一表面上，其一端連接至一信號源，另一端為開路，且該饋入金屬部長度至少40mm；及一輻射金屬部，位於該介質基板之一表面上，與該接地面不互相重疊，其一端與該饋入金屬部具有一小於3mm之特定間距，且該特定間距之長度至少40mm，另一端則為開路。
翁金輅	電機系	一種多頻行動通訊裝置天線/A MULTIBAND MOBILE COMMUNICATION DEVICE ANTENNA	中華民國	I353688	本發明係關於一種多頻行動通訊裝置天線，包含：一電路板、一接地面及一天線元件。該天線元件並包含：一介質基板、一輻射金屬部及一饋入金屬部。該介質基板位於該電路板之無接地面區間附近。該輻射金屬部及該饋入金屬部均位於該介質基板上。該饋入金屬部並包含：一第一金屬元件、一第二金屬元件及一短路金屬元件。該第一金屬元件其一端電氣連接至該輻射金屬部；該第二金屬元件，其一端連接至一訊號源，且該第二金屬元件並與該第一金屬元件之間具有一特定間距；該短路金屬元件其一端電氣連接至該第一金屬元件，另一端則短路至該接地面。
張鼎張	物理系	奈米點浮置閘極之製造方法、奈米點記憶體及其製造方法/NON-VOLATILE MEMORY AND METHOD OF MANUFACTURING FLOATING GATE	美國	US 7,235,443 B2	A method of manufacturing a floating gate is provided. The method includes the steps of forming a tunneling layer on a substrate, and forming a film layer containing a semiconductor component on the tunneling layer. The film layer consists of a semiconductor film or nano-dots.
張鼎張	物理系	應用超臨界流體製作非揮發性記憶體的製程	中華民國	I355047	本發明提供應用超臨界流體製作非揮發性記憶體的製程，主要是利用超臨界流體將具有高鍵結能力的修飾劑帶入緻密無孔隙的薄膜中，將薄膜完全氧化、轉換為具有高密度載子儲存中心的非傳導性的載子捕捉層，並同時鈍化穿隧氧化層與閘極控制層的缺陷、提高穿隧氧化層與閘極控制層的介電特性、降低漏電流，以配合薄膜電晶體的低溫製程(不大於150℃)製作出具有高效能的非揮發性記憶體。
張鼎張	物理系	高記憶視窗之非揮發性記憶體/Nonvolatile memory with high memory window	中華民國	I351757	本發明提供一種高記憶視窗之非揮發性記憶體，包含：一具有一源極及一與該源極相間隔設置的汲極之半導體基板、一局部地疊置於該源極與汲極的電荷儲存膜，及一疊置於該電荷儲存膜的閘極。該電荷儲存膜具有一形成於該半導體基板的穿隧氧化層、一形成於該穿隧氧化層的阻絕氧化層，及一含有一ExSiyGezM100－x－y－z之組成並夾置於該等氧化層之間的電荷儲存層。E是選自Er、La、Ce、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Yb、Lu，或此等的一組合。M是選自N、O，或此等的一組合；其中，10≦x≦25；10≦y≦25；10≦z≦25；x＋y＋z≦75。
莫清賢	電機系	具返覆共振點火電路之複金屬燈電子安定器/Electronic ballast with repeatedly resonanting ignition circuit for metal halide lamps	中華民國	I353804	本發明係關於一種具返覆共振點火電路之複金屬燈電子安定器，其將換流電路、功率控制電路及返覆共振點火功能整合在橋式的電路架構中，同時利用電流換向的過程，藉由被動儲能元件的能量耦合以達成高電壓累積產生的點燈功能，故不須再額外設計一具點火功能之電路。並且，成功點燈後，該等被動儲能元件亦具有濾波器的功能，配合橋式電路驅動訊號的控制，電路可達成換流和功率控制。因此，本發明具返覆共振點火電路之複金屬燈電子安定器不僅可以提高安定器工作的能源轉換效率和電路可靠度，更可大幅縮小安定器體積及製造的成本。
陳英忠	電機系	具雙頻響應之薄膜體聲波共振器之製造方法及其結構	中華民國	I355102	一種具雙頻響應之薄膜體聲波共振器之製造方法，其包含提供一濺鍍設備，該濺鍍設備係至少具有一濺鍍腔室、一設置於該濺鍍腔室之傾斜載具以及至少一對應該傾斜載具而設置之靶材，該傾斜載具係具有一傾斜面及定義有一垂直該傾斜面之第一鉛垂線，該靶材係具有一對應該傾斜面之表面及定義有一垂直該表面之第二鉛垂線，該第一鉛垂線與該第二鉛垂線之間係具有一第一夾角；設置一基板於該濺鍍設備之該傾斜載具之該傾斜面，該基板係具有一上表面、一相對於該上表面之下表面以及定義有一垂直該上表面之法線，該法線係與該傾斜載具之該第一鉛垂線平行，且一第一電極層係形成於該基板之該上表面；濺鍍該靶材以產生複數個濺射靶原子(分子)，該些濺射靶原子(分子)係沈積於該第一電極層上以形成一壓電薄膜，該壓電薄膜係具有一晶格排列方向，該晶格排列方向與該基板之該法線之間係具有一第二夾角；以及形成一第二電極層於該壓電薄膜上。
黃永茂	機電系	具張力控制系統之金屬超薄板壓延機 / FOIL METAL ROLLING MILL WITH TENSION CONTROL SYSTEMS	中華民國	I355975	一種具張力控制系統之金屬超薄板壓延機，其主要包含一壓延機本體、一第一張力控制系統以及一第二張力控制系統，該壓延機本體係具有一第一輸送單元、一第二輸送單元及一壓延單元，該第一輸送單元係具有一第一主支架、一第一輸送桿、一第二輸送桿及一第三輸送桿，該第一輸送桿係位於該第二輸送桿與該第三輸送桿之間，該第二輸送單元係具有一第二主支架、一第四輸送桿、一第五輸送桿及一第六輸送桿，該第四輸送桿係位於該第五輸送桿與該第六輸送桿之間，該第一張力控制系統係設置於該第一輸送單元，其包含有一設置於該第一輸送桿下方之第一張力感測器、一第一控制器及一第一驅動裝置，該第一張力感測器係用以感測該第一輸送單元之一第一張力值，該第一控制器係根據該第一張力值輸出一第一速度調整訊號，該第一驅動裝置係接收該第一速度調整訊號，並根據該第一速度調整訊號調整該第一輸送單元之輸送速度及該第一張力值，該第二張力控制系統係設置於該第二輸送單元，其包含有一設置於該第四輸送桿下方之第二張力感測器、一第二控制器及一第二驅動裝置，該第二張力感測器係用以感測該第二輸送單元中之一第二張力值，該第二控制器係根據該第二張力值輸出一第二速度調整訊號，該第二驅動裝置係接收該第二速度調整訊號，並根據該第二速度調整訊號調整該第二輸送單元之輸送速度及該第二張力值。
黃英哲	資工系	切片轉換式資料壓縮方法與系統	中華民國	I245497	本發明係關於一種切片轉換式資料壓縮系統與方法，該切片轉換式資料壓縮方法包括以下步驟：(a)將一資料串流內之每一資料，切割為複數個資料切片，每一資料具有複數個位元，每一資料切片具有至少一位元，每一資料之位元數大於資料切片之位元數；(b)轉換該等資料切片為複數個轉換資料切片；以及(c)壓縮該等轉換資料切片。因此，本發明之系統與方法，是在位元層次切割與轉換出複數個資料切片，改變了資料切片的特性，使得這些資料切片可以提昇資料壓縮的效果，進而增加硬體實現上的資料壓縮效率或是減少硬體成本。
黃英哲	資工系	反相壓縮系統及方法/ BACKWARD COMPRESSION SYSTEM AND METHOD	美國	US7,956,775B2	A backward compression system and a backward compression method are provided. By using the system and the method, under limited memory space, a relationship between input data and previous data is identified in real time, the input data or previous data is encoded according to the relationship, and the order of data output is such that the encoded data is output first and the complete data is output second. When the output data is stored in circular memory and the memory gets full, the oldest encoded data is overwritten first, and the complete data is not overwritten until all the related encoded data is overwritten. Therefore, more original data can be preserved after decompression. Thus, system signals can be compressed and utilization of limited memory space can be improved.
劉承宗	電機系	直驅之管狀線性往復式發電機/A linear-type Direct Driven Tubular Generator	中華民國	I355131	本發明提供一種直驅之管狀線性往復式發電機，其包含一動子及一定子。該動子設有一動子軸、一絕緣護套及數個永久磁環，而該定子設有數個環形線圈、一外導磁套筒、一內固定套筒及二線性軸承。該動子之永久磁環係採用Halbach陣列磁環的排列架構。該定子之環形線圈係採用無溝槽式(Slotless)的三相環形集中式繞線的架構。當該動子軸進行線性往復運行時，該動子之永久磁環與該定子之環形線圈即可感應產生電流。藉此，提供一種適用於各式線性原動機之管狀線性發電機。
錢志回	機電系	可消除暗區現象之背光模組/A backlight module for dark phenomenon elimination	中華民國	I353476	一種可消除暗區現象之背光模組，其係至少包含一導光板以及一光源，該導光板係具有一上表面、一下表面以及一側部，該側部係具有一垂直面、一底部凸緣、一傾斜面以及定義有一鉛垂線，該傾斜面係連接該垂直面及該底部凸緣，且該傾斜面與該鉛垂線之間係具有一夾角，該夾角係大於5度且小於10度，該光源係設置於該導光板之該側部，且位於該鉛垂線外側。

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