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國立中山大學 National Sun Yat-sen University

【獲證專利公告】恭賀!材光系曾百亨教授及團隊之研究成果「高效率碲化鎘薄膜太陽能電池之元件結構」獲得中華民國發明專利!

發明人

曾百亨教授

系所

材光系

專利名稱

高效率碲化鎘薄膜太陽能電池之元件結構

證書號

I 430466

公告日期

103年3月11日

專利摘要

一種高效率碲化鎘薄膜太陽能電池之元件結構,其具有之P型主吸收層係依序包含一碲化鎘層及一Cu-IIIA-VIA類之半導體化合物層,該Cu-IIIA-VIA類之半導體化合物層可與一金屬陽極層(背電極)形成理想的歐姆接觸。因此,該金屬陽極層將可使用一般銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽能電池元件慣用、穩定且成本較低的鉬(Mo)電極材料,可有效簡化CdTe太陽電池背電極的製作過程並改善其不穩定性。再者,該Cu-IIIA-VIA類之半導體化合物層在長波長區段的光吸收能力優於該碲化鎘層,故亦可用以補足該碲化鎘層在此長波長區段較為不足的光吸收率;另藉由調整該化合物之組成以形成能隙梯度,可在背電極附近產生適當電場,有助於減少電子與電洞的復合進而提升電池效率。此外,透光導電層使用重摻雜的氧化鋅取代氧化錫,其高透光率亦得以增加太陽電池的發電量。

技轉服務窗口

盧加達(分機2655)

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