【獲證專利公告】恭賀!電機系黃義佑教授及團隊之研究成果「具高C軸取向之氧化鋅壓電薄膜之製作方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
黃義佑教授 |
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系所 |
電機系 |
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專利名稱 |
具高C軸取向之氧化鋅壓電薄膜之製作方法 |
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證書號 |
I 430484 |
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公告日期 |
103年3月11日 |
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專利摘要 |
一種具高C軸取向之氧化鋅壓電薄膜之製作方法，其係包含提供一基板，該基板係具有一本體、一二氧化矽層及一氮化矽層；形成一底電極層於該氮化矽層；圖案化該底電極層；濺鍍一氧化鋅(Zinc Oxide,ZnO)層於該氮化矽層及該底電極層上，濺鍍該氧化鋅層之濺鍍參數係包含基板溫度、氧氣/氬氣含量比、濺鍍功率及工作壓力，其中基板溫度可為250至350度、氧氣/氬氣含量比例為20%至25%、濺鍍功率可為150至250瓦、工作壓力可為5×10-6至7×10-6Torr；圖案化該氧化鋅層；形成一光阻層於該氮化矽層及該氧化鋅層；圖案化該光阻層以顯露出該氧化鋅層；形成一上電極層於該氧化鋅層及該光阻層；移除該光阻層及在該光阻層之該上電極層，在該氧化鋅層之該上電極層係可被保留；以及圖案化該氮化矽層以形成一可顯露該本體之凹槽。
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技轉服務窗口 |
趙偉志(分機2625) |
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