【獲證專利公告】恭賀!物理系張鼎張教授及團隊之研究成果「電阻式記憶體及其製作方法」獲得中華民國發明專利!
|
發明人 |
張鼎張教授 |
|
系所 |
物理系 |
|
專利名稱 |
電阻式記憶體及其製作方法 |
|
證書號 |
I 430434 |
|
公告日期 |
103年3月11日 |
|
專利摘要 |
一種電阻式記憶體，係由第一電極、涵氧層、介電層及第二電極依序層疊而成，該涵氧層以含有一吸氧原子之氧化物材質製成，使該涵氧層之氧原子吸引力大於該介電層之氧原子吸引力。該電阻式記憶體之製作方法係將氧化物沈積於該第一電極之表面，並將一吸氧原子摻雜入該氧化物材質中以形成該涵氧層；再將氧化物設置於該涵氧層之表面以形成一介電層；及將該第二電極設置於該介電層之表面，使該介電層係介於該涵氧層及該第二電極之間。
|
|
|
|
|
技轉服務窗口 |
曾溫仁(分機2621) |
瀏覽數:
