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專利摘要

王朝欽

電機系

具製程、電壓及溫度補償之二倍供應電壓共容輸入輸出緩衝器/2xVDD-TOLERANT LOGIC CIRCUITS AND A RELATED 2xVDD-TOLERANT I/O BUFFER WITH PVT COMPENSATION

美國

US7,915,914B1

A multi-rod mechanism includes at least one ternary link and a plurality of binary links. The ternary link and the binary links are connected between a first fixing pivot point and a second fixing pivot point to form a combination of the ternary link and the binary links. The combination of the ternary link and the binary links is designed to provide a first movable pivot point and a second movable pivot point between the first fixing pivot point and the second fixing pivot point. In operation, the ternary link and the binary links are rotated to move the first movable pivot point and the second movable pivot point toward or away from each other in opposite directions.

王朝欽

電機系

低功率雙緣觸發正反器/Low power double-edge triggered flip-flop

中華民國

I350054

本發明係關於一種低功率雙緣觸發正反器，其包括：一訊號延遲電路、一互斥或(XOR)電路及一栓鎖電路。本發明之低功率雙緣觸發正反器係利用多臨界電壓電晶體技術所設計之低功率、高速度之正反器。低臨界電壓電晶體可供應大輸出電流，故適合成為驅動電路。並搭配高臨界電壓電晶體之低漏電流特性，適合栓鎖資料，即可整合而構成單一栓鎖器雙緣觸發正反器，達到低功率、小面積和高速的設計。

朱安國

光電系

製作具金字塔結構之矽基板的蝕刻方法及其裝置/Etching method for manufacturing a pyradmidal texture silicon substrate and the apparatus thereof

中華民國

I349963

一種製作具金字塔結構之矽基板的蝕刻方法及其裝置，其包含步驟：將一矽基板置放於一底座上，並藉由數個間隔單元將一氣泡控制單元設置於該底座之上方；將該底座置放於一蝕刻液中進行蝕刻反應；及將該底座連同該矽基板由該蝕刻液中取出清洗，以於該矽基板表面形成該金字塔結構。

林吉聰

電機系

具溝渠式矽覆絕緣層之動態隨機存取記憶體裝置及其製作方法/Trench SOI-DRAM cell and method for making the same

中華民國

I349996

本發明係關於一種具溝渠式矽覆絕緣層之動態隨機存取記憶體裝置及其製作方法，其利用一源極部及一汲極分別與一具有複數個導電半導體單元之本體外側二導電半導體單元相接，且利用該等導電半導體單元累積來自於該汲極所產生的電荷，以降低臨界電壓。另外，本發明之該動態隨機存取記憶體裝置僅使用一個場效電晶體裝置(1T)，即具有習知動態隨機存取記憶體特性(1T－DRAM)且具有較大的集積密度，並且，本發明之製程簡單，故可降低生產成本。

林哲信

機電系

具多孔感測層之濕度感測器的製造方法/Manufacturing method of humidity sensor having porous sensing layer

中華民國

I347433

一種具多孔性感測層之濕度感測器的製造方法，其包含：提供一基板，並在其上表面形成一下電極層；將一液態聚醯亞胺(polyimide)塗佈於該下電極層上，以形成一聚醯亞胺膜；將該基板含浸於一揮發性溶液中，使尚未固化之該聚醯亞胺膜形成數個微孔結構；固化上述處理後之該聚醯亞胺膜；以及，在該聚醯亞胺膜之上表面形成一上電極層，以完成該濕度感測器。上述塗佈及含浸之步驟亦可置換為：混合一液態聚醯亞胺及一揮發性溶液成為一混合液；以及，將該混合液塗佈於該下電極層上，以形成一聚醯亞胺膜及數個微孔結構。

翁金輅

電機系

一種組合式單極槽孔天線/An integrated monopole slot antenna

中華民國

I346419

本發明係關於一種組合式單極槽孔天線，包含：一第一介質基板：一第二介質基板，位於該第一介質基板之一邊緣；一接地面，位於該第一介質基板上；一第一輻射部，位於該接地面之一邊緣，含有一第一子槽孔；一第二輻射部，位於該第二介質基板上，含有一第二子槽孔及一匹配金屬部，該第二子槽孔並與該第一子槽孔組合成一單極槽孔；以及一饋入微帶線，跨越該單極槽孔，用以傳輸信號。

翁金輅

電機系

一種電容耦合饋入手機天線/A Mobile Phone Antenna with a capacitive feed

中華民國

I355109

本發明係一種電容耦合饋入手機天線，包含：一接地部、一輻射部、一短路金屬線及一饋入連接線。該輻射部大致位於該接地部之一短邊附近，並包含：一介質基板、一輻射金屬片及一耦合部；該介質基板具有一第一表面及一第二表面；該輻射金屬片位於該介質基板之第一表面上，並具有一短路點；該耦合部位於該介質基板之第二表面上，並具有一饋入點；該短路金屬線之一端電氣連接至該接地部，另一端則電氣連接至該輻射金屬片上之短路點；該饋入連接線之一端電氣連接至該耦合部之饋入點，另一端則電氣連接至位於該接地部上之一信號源。

翁金輅

電機系

一種行動通訊裝置天線/A MOBILE COMMUNICATION DEVICE ANTENNA

中華民國

I350028

本發明係關於一種行動通訊裝置天線，主要包含：一電路板、一接地面及一天線元件。該天線元件位於該電路板之無接地面區間上。該天線元件並包含：一介質基板、一輻射金屬部及一饋入部。該輻射金屬部及該饋入部均位於該介質基板上。該饋入部並包含：一第一金屬元件、一第二金屬元件及一短路金屬元件。該第一金屬元件其一端電氣連接至該輻射金屬部；該第二金屬元件，其一端經由一饋入金屬連接線電氣連接至一訊號源；該短路金屬元件其一端電氣連接至該第一金屬元件，另一端經由一短路金屬連接線短路至該接地面。

翁金輅

電機系

一種數位電視天線

中華民國

I351129

本發明係關於一種數位電視天線，包含：一電路板、一接地面、一輻射部及一饋入部。該電路板具有一接地面區間及一無接地面區間，該無接地面區間另包含：一第一無接地面區間及一第二無接地面區間，該第一無接地面與該第二無接地面結合形成一大致為倒L形之該無接地面區間。該接地面，位於該電路板之該接地面區間。該輻射部，位於該電路板之該無接地面區間上，包含：一第一金屬部、一第二金屬部、一第三金屬部及一短路金屬部。該饋入部，位於該第二無接地面區間，包含：一第一饋入金屬部、一第二饋入金屬部及一饋入信號源。

袁中新

環工所

一種利用固態含碳吸附劑降低裂解油含硫量之方法

中華民國

I349700

本發明係關於一種利用固態含碳吸附劑降低裂解油含硫量之方法，其包括：(a)提供一初始裂解油；(b)添加固態含碳吸附劑至該初始裂解油中，以降低該初始裂解油之硫含量，以使該初始裂解油成為低硫裂解油；及(c)過濾分離該固態含碳吸附劑及該低硫裂解油。藉此，降低油品含硫量以降低空氣污染。並且，本發明之方法相當簡易，故可降低生產成本。

高志明

環工所

可處理含氯污染物之組成物/Novem che3nical for chlorinated contaminants treatment

中華民國

I347304

一種可處理含氯污染物之組成物，其係包含一高錳酸鉀〔KMnO4〕及一非離子型界面活性劑〔nonionic surfactant〕，其中，該非離子型界面活性劑係可供微生物作為碳源使用。藉此，可有效提升氧化效率、整治效率及整治便利性。

張鼎張

物理系

薄膜電晶體之多晶矽層的鈍化方法/Method for passivating the poly-Si layer of the thin film transistor

中華民國

I349966

本發明提供一種薄膜電晶體之多晶矽層的鈍化方法，包含以下步驟：(a)於一透明基板上形成一多晶矽主動層；(b)依序於多晶矽主動層上局部地形成一閘極氧化層及一多晶矽閘極層；(c)於多晶矽主動層與多晶矽閘極層上覆蓋一絕緣層；(d)對絕緣層施予氟離子佈植或氮離子佈植；(e)蝕刻絕緣層以於閘極氧化層與多晶矽閘極層的兩側面形成兩側壁子；(f)對多晶矽主動層施予離子佈植以於該多晶矽主動層定義出一源極與一汲極；及(g)對源極與汲極施予活化處理並使該等側壁子的離子向內擴散至多晶矽主動層。

許正和

機電系

一種六速汽車自動變速器

中華民國

I349751

本創作是一種行星齒輪式六速汽車自動變速器，其配置於扭力轉換器與驅動輪之間，目的在於提供六個前進檔與一個倒退檔，使引擎在換檔過程維持一定的轉速範圍以提高車輛行駛性能與省油性，本創作主要包含一箱體、三組輸入離合器、三組制動離合器、與一顆行星齒輪式變速機構。其中變速機構由三組基本行星齒輪系組成，第一組基本行星齒輪系的行星臂與第二、三組基本行星齒輪系的環齒輪為同一構件，並藉第一組輸入離合器與第一組制動離合器做控制；第一、二組基本行星齒輪系的太陽齒輪為同一構件，然後透過第二組制動離合器做控制；第一組基本行星齒輪系的環齒輪與第三組基本行星齒輪系的行星臂為同一構件，其藉第二組輸入離合器做控制；第三組基本行星齒輪系的太陽齒輪構件透過第三組輸入離合器與第三組制動離合器做控制；第二組基本行星齒輪系的行星臂構件為變速器的輸出。本創作具備控制簡單、構件數少與各檔位傳動效率高的特點，尤其是二自由度的行星齒輪式變速機構，僅由三組基本行星輪系串成便能提供六個前進檔與一個後退檔，實為一個新穎性高、深具實用價值、且為全球各大車廠所沒發現之六速汽車自動變速器發明。

勞伯特．律格/ROBERT RIEGER

電機系

用於放大器之動態範圍延展數位化系統/Dynamic Range Extension for Amplifier-Digitizer Systems

中華民國

I346450

本發明係關於一種用於放大器之動態範圍延展數位化系統，其利用第一比較器及第二比較器判斷放大器之輸出訊號是否超過放大器之臨界電壓，以控制第一電壓源及第二電壓源產生相對應電壓至放大器輸入端，使放大器在操作區工作。本發明之動態範圍延展數位化系統可利用不連續之步階補償偏移訊號，而不是使用低通濾波器，將偏移訊號回授至輸入端消除偏移訊號，此動作可能造成某些較低頻的訊號被濾除，因此，低頻之訊號可被儲存，及增加系統之動態輸入範圍，亦可避免在訊號干擾後之空白期間，故可實現於小型低功率之電路，俾利於系統積體化。

黃義佑

電機系

具不共平面電極及水氣進出口之微型濕度感測器

中華民國

I314644

本發明係關於一種具不共平面電極及水氣進出口之微型濕度感測器,其包括一基板、一第一電極層、一第一介電層、一第二電極層及一第二介電層。藉由該等第一水氣進出口分別形成於該等第一電極上之相對位置,且該等第一水氣進出口係分別形成於該等第二電極之間,且該第一電極層及該第二電極層為不共平面,可使得該微型濕度感測器於進行濕度之量測時,具有較佳的濕度感測靈敏度、極高的感測線性度、極低的遲滯效應、優良的穩定性、極佳的精確度及高反應速度。

黃義佑

電機系

具雙層聚亞醯胺薄膜之微型濕度感測器之製造方法

中華民國

I314645

本發明係關於一種具雙層聚亞醯胺薄膜之微型濕度感測器之製造方法,其係藉由形成一第一電極層及一第二電極層不共平面地分別設置於一第一聚亞醯胺薄膜及一第二聚亞醯胺薄膜之中,且利用聚亞醯胺具有低介電常數、高耐熱、抗幅射、抗化學腐蝕、尺寸安定、極佳階梯覆蓋等特性,以使該微型濕度感測器具有較佳的濕度感測靈敏度、極高的感測線性度、極低的遲滯效應、優良的穩定性、極佳的精確度及高反應速度。

楊台發

機電系

鍍膜製程的電漿反應光學監控方法/Monitoring method of plasma reaction in coating process

中華民國

I349768

本發明提供鍍膜製程的電漿反應光學監控方法，是在反應腔中設置可以接收混合波長的光的光接收器，以接收進行電漿鍍膜製程的同時，由電漿的激發光對應成長的鍍膜膜厚所產生干涉光，之後再將干涉光譜轉換成光強度依時間變化的圖譜，再以此圖譜對應得知鍍膜進行時的即時資訊，而藉著電漿本身所產生的光對應鍍膜狀態所產生的干涉光譜，即時得知並監控包含鍍膜進行時的膜厚變化，以及例如反應腔中的氣體流量、濺鍍壓力、或是電漿產生功率等製程參數變化。

蔡得民

機電系

輪致動多桿件機構/CAM ACTUATED MULTIPLE RODS MECHANISM

中華民國

I328656

一種凸輪致動多桿件機構，係用以開閉一具有一第一側模座及一第二側模座之模具，其包含一第一驅動輪、一第二驅動輪、一第一滾輪、一第二滾輪、一第一拉桿、一第二拉桿、一對第一調整桿、一對連動桿、一對第二調整桿以及一對推桿，其中該第一驅動輪及該第二驅動輪係分別形成有一第一凸輪及一第二凸輪，該第一滾輪及該第二滾輪係分別抵接該第一凸輪及該第二凸輪，該第一拉桿及該第二拉桿係分別連接於該第一滾輪及該第二滾輪，各該第一調整桿係連接於該第一拉桿，各該連動桿係呈相對設置且分別連接於各該第一調整桿，各該第二調整桿係呈相對設置且分別連接於各該連動桿，各該推桿係呈相對設置且分別連接於各該第二調整桿，又各該推桿一端係分別連接於該第一側模座及該第二側模座。

賴聰賢

光電所

量子井混合方法/Quantum Well Intermixing Method

中華民國

I347688

一種量子井混合(quantum well intermixing)方法，其包含下列步驟：提供一半導體基板，該半導體基板上依序堆疊形成一第一半導體層、一發光層及一第二半導體層以形成一磊晶片，其中該發光層具有至少一量子井層；於外露該第二半導體層之一表面形成數個缺陷；於該表面上形成一絕緣層，且該絕緣層具有數個缺陷；使該量子井層之數個原子、該第二半導體層之缺陷及該絕緣層之缺陷交互擴散並混合，調整量子井層之能階結構，藉此達成發光波長藍移。

蔡得民

機電系

多連桿直線帶動模具開閉機構

中國大陸

1252535

A 2×VDD-tolerant input/output (I/O) buffer circuit with process, voltage, and temperature (PVT) compensation suitable for CMOS technology is disclosed. A 2×VDD-tolerant I/O buffer with a PVT compensation circuit is implemented with novel 2×VDD-tolerant logic gates. Output slew rate variations can be kept within smaller ranges to match maximum and minimum timing specifications. A 2×VDD tolerant logic circuit for implementing the I/O buffer is also disclosed.