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國立中山大學 National Sun Yat-sen University

【獲證專利公告】恭賀!機電系林哲信教授及團隊之研究成果「具奈米結構之電極製作方法」獲得中華民國發明專利!

發明人

林哲信教授

系所

機電系

專利名稱

具奈米結構之電極製作方法

證書號

I 422094

公告日期

103年1月1日

專利摘要

一種具奈米結構之電極製作方法,其包含:將具有奈米孔洞之一薄膜基材浸於一潤濕液中,以潤濕及擴張該薄膜基材之表面及奈米孔洞之孔壁表面;將該薄膜基材取出並浸入一表面活化液,以活化該薄膜基材之表面及該奈米孔洞之孔壁表面;以及,將該薄膜基材取出並浸入一鈀金屬無電鍍液中,並加入一無電鍍還原劑,使該薄膜基材之表面鍍上一鈀金屬層及在各該奈米孔洞內形成一鈀奈米柱。具有該鈀奈米柱的薄膜基材係可做為各種電化學偵測器或燃料電池之電極。

技轉服務窗口

趙偉志(分機2625)

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