【獲證專利公告】恭賀!機電系楊台發教授及團隊之研究成果「氮化鋅ＰＮ接面電晶體元件之製作方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
楊台發教授 |
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系所 |
機電系 |
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專利名稱 |
氮化鋅ＰＮ接面電晶體元件之製作方法 |
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證書號 |
I 408750 |
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公告日期 |
102年9月11日 |
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專利摘要 |
一種氮化鋅PN接面元件之製作方法，係包含一薄膜設置步驟，於一基板上形成一第一N型氮化鋅薄膜；一熱處理步驟，將該第一N型氮化鋅薄膜置入一含氧環境中，並加熱至280℃至350℃，使該第一N型氮化鋅薄膜轉變成一P型氮化鋅薄膜；一薄膜成形步驟，於該P型氮化鋅薄膜之表面形成一第二N型氮化鋅薄膜；及一電極製作步驟，設置數個分別與該第二N型氮化鋅薄膜及P型氮化鋅薄膜相連接之電極。藉此，本發明之氮化鋅PN接面電晶體元件之製作方法可提升PN接面電晶體元件之製程效率並降低製作成本。
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趙偉志(分機2625) |
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