【獲證專利公告】恭賀!光電系賴聰賢教授及團隊之研究成果「量子線半導體結構及其成長方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
賴聰賢教授 |
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系所 |
光電系 |
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專利名稱 |
量子線半導體結構及其成長方法 |
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證書號 |
I 402897 |
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公告日期 |
102年7月21日 |
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專利摘要 |
一種量子線半導體結構之成長方法，其包含提供一磷化銦基板；形成至少一複合緩衝層於該磷化銦基板上，該複合緩衝層係包含有一InxGayAl(1－x－y)As緩衝層及一形成於該InxGayAl(1－x－y)As緩衝層上之InzAl(1－z)As緩衝層；成長一量子線層於該複合緩衝層之該InzAl(1－z)As緩衝層上；以及形成一InzAl(1－z)As覆蓋層於該量子線層上。
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趙偉志(分機2625) |
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