發明人

李明逵教授

系所

電機系

專利名稱

增加氮化鎵發光二極體之光取出效率之方法

證書號

I 392115

公告日期

102年4月1日

專利摘要

一種增加氮化鎵發光二極體之光取出效率之方法，其包含步驟：提供一氮化鎵磊晶圓(GaN wafer)，其具有一發光表面；依預定混合比例混合一鋅源溶液及一晶種溶液成為一混合液；利用該混合液處理該氮化鎵磊晶圓之發光表面，使該發光表面成長直立狀之氧化鋅長晶柱；藉由控制處理溫度及時間，使該氧化鋅長晶柱形成預定長寬尺寸比例及預定分佈密度；及切割該氮化鎵磊晶圓，以形成數個氮化鎵發光二極體單晶片。

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趙偉志(分機2625)