發明人

林吉聰教授

系所

電機系

專利名稱

具π型半導體導通層之半導體裝置及其製造方法

證書號

I 392092

公告日期

102年4月1日

專利摘要

利用本發明具π型半導體導通層之半導體裝置製造方法所製造之具π型半導體導通層之半導體裝置，其以π型半導體導通層之二條連接至矽覆絕緣基板之矽層作為散熱途徑，故可改善自我加熱效應。並且，本發明利用自我對準的技術產生閘極單元及該矽層自我對齊之結構，故製程簡單、成本降低、具元件微縮性且可提高良率，且可改善漏電流問題及短通道效應，故穩定性及可靠度佳。

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趙偉志(分機2625)