發明人

林吉聰教授

系所

電機系

專利名稱

金屬氧化物半導體裝置及其製造方法

證書號

I 392093

公告日期

102年4月1日

專利摘要

本發明之金屬氧化物半導體裝置及其製造方法，其可根據需求利用不同光罩圖形定義而得一個或多個源極及一個或多個汲極數，其中通道、源極及汲極可不沿同一直線排列，其具有彎曲的電流流向，故通道所受到的汲極引發能障衰退效應較小。並且，因源極及汲極(電極數)較多，故可提高元件積集密度，使應用的單一快閃記憶體元件可具有更多位元，且可增加元件本身轉導及降低汲極引發能障衰退效應，電流也因此提升，故在電性方面具有優異的表現。再者，因為本發明之源極及汲極可配合覆蓋式或對準式閘極以完全自我對齊方式形成，所以製程簡單、製程時間短且製造成本低，適合三維積體電路之應用。

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趙偉志(分機2625)