發明人

朱安國教授

系所

光電系

專利名稱

透明導電氧化物薄膜形成奈米孔洞之方法

證書號

I388009

公告日期

102年3月1日

專利摘要

一種透明導電氧化物薄膜形成奈米孔洞之方法，其包含提供一基板；塗佈一透明導電氧化物薄膜於該基板上，該透明導電氧化物薄膜內係含有至少一有機物；將該基板置入一腔體內；通入一氣體於該腔體內，並調升該腔體內之壓力以使該氣體進入超臨界態而形成一超臨界流體，該超臨界流體係會溶解該透明導電氧化物薄膜內之該有機物；以及調降該腔體內之壓力以令該超臨界流體氣化而帶走溶解後之該有機物，並使該透明導電氧化物薄膜形成複數個奈米孔

技轉服務窗口

蔣明倫先生(分機2655)