發明人

張鼎張教授

系所

物理系

專利名稱

電阻式隨機存取記憶體之介電層薄膜的製作方法

證書號

I377621

公告日期

101年11月21日

專利摘要

一種電阻式隨機存取記憶體之介電層薄膜的製作方法，其包含步驟：在低於500℃之環境下，利用一沈積方式於一基材表面沈積形成一介電層薄膜；將一缺陷鈍化反應物與該介電層薄膜接觸並滲入該介電層薄膜中，使該缺陷鈍化反應物對該介電層薄膜進行缺陷鈍化反應，進而使介電層薄膜之電阻狀態可由外加電場而改變，其中該缺陷鈍化反應物係為超臨界流體或氣態流體，該缺陷鈍化反應之環境的壓力係大於1大氣壓，溫度係低於500℃。藉此達成降低製作成本及製程耗能之功效。

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王衍評先生(分機2625)