發明人

林吉聰教授

系所

電機系

專利名稱

假三閘極垂直式矽覆絶緣裝置及其製作方法

證書號

I377669

公告日期

101年11月21日

專利摘要

本發明係為一種具側旁隔離氧化層之矽覆絕緣(SOI)單電晶體裝置及其製作方法。該矽覆絕緣單電晶體裝置包括：一基板、一埋入氧化層、一本體、一側旁隔離氧化層、一源極部、一汲極部、一閘極氧化層、一閘極層。該側旁隔離氧化層形成於該本體之側邊。該源極部及該汲極部形成於該側旁隔離氧化層之側邊。本發明之矽覆絕緣單電晶體裝置具有較好的電洞保持能力、能夠提高浮體效應效應(Floating Body Effect)及克服P－N接面的漏電流，且不需使用昂貴的矽覆絕緣基板，故成本可大幅地降低。

技轉服務窗口

陳瑞煌先生(分機2621)