發明人

林吉聰教授

系所

電機系

專利名稱

假三閘極垂直式矽覆絶緣裝置及其製作方法

證書號

I377672

公告日期

101年11月21日

專利摘要

本發明提供具有假三閘極之垂直式矽覆絕緣半導體裝置，其不僅可利用垂直式電晶體的優點來減少SOI基板之面積，來降低製造成本，並設計類似雙環繞式閘極(稱假三閘極)，增強電流驅動力及降低次臨界漏電流，並使汲極引致能障下降(DIBL)接近於零。再者，經由二縛點使源極及汲極連接至該基板，該等縛點可舒緩自我加熱效應(Self－heating effect)、抑制屈膝效應(Kink effect)及減低自我加熱效應所造成輸出特性的負微分電阻現象，且在通道長度微縮下之門檻電壓具有相當一致之值。另外，本發明之假三閘極垂直式矽覆絕緣裝置可同時克服浮體效應及因電荷共享效應(charge sharing)所造成的短通道效應(short channel effect)。

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陳瑞煌先生(分機2621)