發明人

王朝欽教授

系所

電機系

專利名稱

具反向閘源極偏壓之記憶體模組

證書號

I374447

公告日期

101年10月11日

專利摘要

本發明係關於一種具反向閘源極偏壓之記憶體模組，其包含：一記憶體單元及一預充放電電路。該記憶體單元用以儲存資料，具有一位元線對。該預充放電電路包含一第一控制電晶體及一第二控制電晶體，在待機模式時，由控制訊號控制該第一控制電晶體及該第二控制電晶體，使該記憶體單元之該位元線對充放電至預設電位。利用本發明具反向閘源極偏壓之記憶體模組，記憶體單元之存取電晶體在待機模式時，其閘源極與基源極均為反向偏壓，以降低存取電晶體之漏電流及提高臨界電壓，以達到低功率、高雜訊邊限的效果。

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陳瑞煌先生(分機2621)