【獲證專利公告】恭賀!電機系李明逵教授及團隊之研究成果「於氮化鎵發光二極體上形成二氧化矽微透鏡之方法」獲得中華民國發明專利!
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發明人 |
李明逵教授 |
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系所 |
電機系 |
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專利名稱 |
於氮化鎵發光二極體上形成二氧化矽微透鏡之方法 |
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證書號 |
I360895 |
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公告日期 |
101年3月21日 |
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專利摘要 |
一種於氮化鎵發光二極體上形成二氧化矽微透鏡之方法,其包含提供一飽和六氟矽酸溶液;進行一二氧化矽析出步驟,其係將一硼酸溶液混合於該飽和六氟矽酸溶液中,以使該飽和六氟矽酸溶液析出複數個二氧化矽微粒;提供一氮化鎵發光二極體,該氮化鎵發光二極體係具有一基板、一形成於該基板上之緩衝層、一形成於該緩衝層上之n型氮化鎵層、一形成於該n型氮化鎵層上之主動層以及一形成於該主動層上之p型氮化鎵層;以及將該氮化鎵發光二極體放置於該飽和六氟矽酸溶液與該硼酸溶液之混合溶液中,以使該些二氧化矽微粒先鍵結於該p型氮化鎵層上而形成複數個成長核種,再沿著該些成長核種沈積形成複數個二氧化矽微透鏡。 |
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技轉服務窗口 |
林淑英(分機2686) |
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