發明人

林吉聰教授

系所

電機系

專利名稱

假閘極全環繞矽覆絕緣裝置及其製作方法

證書號

I355691

公告日期

101年1月1日

專利摘要

本發明係關於一種假閘極全環繞矽覆絕緣裝置及其製作方法。該半導體裝置之一下閘極介電層形成於一基板上，且一導電半導體層形成於該下閘極介電層之上。該具導電之半導體層具有一本體、一源極及一汲極，並且，該半導體裝置之一上閘極及一下閘極連結於同一電極，使得該半導體裝置之該上閘極及該下閘極環繞於本體之上方、下方及二側，形成一近乎全環繞式閘極之結構。藉此，克服上閘極與下閘極間之耦合電容問題，故該半導體裝置具有且較傳統矽覆絕緣金屬氧化物半導體元件(SOI MOSFET)或鰭式場效電晶體(Fin FET)較大的電流驅動和次臨界轉換特性。 .....

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吳姿慧小姐(分機2651)