發明人

張鼎張教授

系所

物理系

專利名稱

高記憶視窗之非揮發性記憶體

證書號

I 351757

公告日期

100年11月1日

專利摘要

本發明提供一種高記憶視窗之非揮發性記憶體，包含：一具有一源極及一與該源極相間隔設置的汲極之半導體基板、一局部地疊置於該源極與汲極的電荷儲存膜，及一疊置於該電荷儲存膜的閘極。該電荷儲存膜具有一形成於該半導體基板的穿隧氧化層、一形成於該穿隧氧化層的阻絕氧化層，及一含有一ExSiyGezM100－x－y－z之組成並夾置於該等氧化層之間的電荷儲存層。E是選自Er、La、Ce、Pr、Pm、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Tm、Yb、Lu，或此等的一組合。M是選自N、O，或此等的一組合；其中，10≦x≦25；10≦y≦25；10≦z≦25；x＋y＋z≦75。。..

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吳姿慧小姐(分機2651)