發明人

張鼎張教授

系所

物理

專利名稱

薄膜電晶體之多晶矽層的鈍化方法

證書號

I 349966

公告日期

100年10月1日

專利摘要

本發明提供一種薄膜電晶體之多晶矽層的鈍化方法，包含以下步驟：(a)於一透明基板上形成一多晶矽主動層；(b)依序於多晶矽主動層上局部地形成一閘極氧化層及一多晶矽閘極層；(c)於多晶矽主動層與多晶矽閘極層上覆蓋一絕緣層；(d)對絕緣層施予氟離子佈植或氮離子佈植；(e)蝕刻絕緣層以於閘極氧化層與多晶矽閘極層的兩側面形成兩側壁子；(f)對多晶矽主動層施予離子佈植以於該多晶矽主動層定義出一源極與一汲極；及(g)對源極與汲極施予活化處理並使該等側壁子的離子向內擴散至多晶矽主動層。。..

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