發明人

林吉聰教授

系所

電機

專利名稱

具溝渠式矽覆絕緣層之動態隨機存取記憶體裝置及其製作方法

證書號

I 349996

公告日期

100年10月1日

專利摘要

本發明係關於一種具溝渠式矽覆絕緣層之動態隨機存取記憶體裝置及其製作方法，其利用一源極部及一汲極分別與一具有複數個導電半導體單元之本體外側二導電半導體單元相接，且利用該等導電半導體單元累積來自於該汲極所產生的電荷，以降低臨界電壓。另外，本發明之該動態隨機存取記憶體裝置僅使用一個場效電晶體裝置(1T)，即具有習知動態隨機存取記憶體特性(1T－DRAM)且具有較大的集積密度，並且，本發明之製程簡單，故可降低生產成本。。..

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